说起碳化硅，想必大家都不陌生。线性传感器作为第三代半导体材料的杰出代表，碳化硅不仅继承了前两代半导体材料的优良特性，更在多个关键性能指标上实现了质的飞跃，其高频率、高效率、高耐压、高耐流等优势，为新能源汽车、智能电网、航空航天，以及高功率电子设备等领域带来了前所未有的发展机遇。
据英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉介绍，碳化硅是满足可持续性能源生产和消费的核心技术。据YoleIntelligence报告显示，预计从2024年到2029年，全球碳化硅市场规模将从31亿欧元增长到90亿欧元，年复合增长率超过24%。未来5年，碳化硅市场将会呈现出显著的增长趋势。
而英飞凌在碳化硅领域已经深耕了30多年，并始终保持着引领者的地位。从1992年开始研发碳化硅技术，到2001年推出世界上第一个商用的碳化硅二极管，再到2019年发布了革命性的CoolSiC™MOSFET技术，英飞凌的碳化硅产品几乎覆盖整个能源全链条。而今年，英飞凌又创新性地带来了第二代CoolSiC™MOSFET技术，以及XHP™2CoolSiC™MOSFET半桥模块，再一次凭借先进技术和卓越性能赢得了全球市场的认可。
尽管碳化硅半导体元器件已经展现出了巨大的潜力与优势，但不可否认的是，这种新型半导体材料在实际应用中仍然面临着多重挑战。比如，碳化硅晶体的一致性差、单晶生长速度缓慢；现有的碳化硅材料生产工艺相对复杂，加工成本较高且良率偏低，难以与传统的硅器件竞争。此外，碳化硅材料的特性也带来了设计上的困难，比如高功耗密度下的热管理、与封装材料之间的热膨胀系数不匹配等问题。除了技术挑战，还有市场需求和成熟度等，也是决定是否使用碳化硅材料制造IGBT的重要因素。
为了有效地解决问题和应对挑战，英飞凌从“稳、先、卓、优、融”五个方面采取了措施。其中，“稳”指的是技术和产品的稳定性，以及保障供货的稳定性；“先”指的是坚持技术创新驱动，保持行业技术领先；“卓”指的是追求卓越，致力于在产品质量和性能上不断超越自我；“优”指的是不断优化产能布局，根据市场需求变化和行业发展趋势，合理调整产品结构；“融”指的是深度融入本土生态圈，加强与本土企业的合作关系，与产业链上下游共同应对挑战，实现共赢发展。
在英飞凌看来，碳化硅这个市场的舞台是非常巨大的，前景也是十分可观的。所以，在这个机遇与挑战并存的领域，只有建立多元化、多层次、全方位的新发展路径，才能在行业竞争中脱颖而出。
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